根据《海南师范大学校企合作及科技成果转化暂行办法》(海师办〔2013〕53号)规定，经审核同意，对成果转化相关事项公示如下:

      一、成果名称：

    包括发明专利6项，具体如表下：

    二、成果简介：

    1. 专利1简介：

    本发明公开了一种深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构,包括：衬底,所述衬底为单晶N型衬底;在所述衬底上表面依次生长的N型过渡层、N型下限制层、下波导层、下势垒层、多量子阱层、上势垒层、上波导层、P型上限制层及P型重掺杂层;在所述P型重掺杂层上表面制备的P面电极;及在所述N型衬底下表面制备的N面电极。

    2. 专利2简介：

    本发明公开了一种深紫外半导体激光器的外延结构,包括：衬底,所述衬底为单晶N型衬底;在所述衬底上表面依次生长的N型过渡层、N型下限制层、下波导层、下势垒层、量子阱层、上势垒层、上波导层、P型上限制层及P型重掺杂层;在所述P型重掺杂层上表面制备的P面电极;及在所述N型衬底下表面制备的N面电极。

    3. 专利3简介：

    本发明公开了一种深紫外半导体发光二极管的外延结构的制备方法,包括以下步骤：(1)在磁控溅射系统中,对衬底进行热处理,等离子清洗;(2)通过控制铝靶和/或硅靶的轰击功率、反应室气压及气体流量比在衬底上依次生长N型过渡层、N型下限制层、下波导层、下势垒层、多量子阱层、上势垒层、上波导层、P型上限制层及P型重掺杂层;(3)通过光刻工艺在衬底下表面制备N面电极,在P型重掺杂层上表面制备P面电极。

    4. 专利4简介：

    本发明公开了一种深紫外垂直腔半导体激光器的外延结构,包括：衬底,衬底为N型衬底;在衬底上表面依次生长的N型过渡层、下DBR反射镜层、下波导层、下势垒层、量子阱层、上势垒层、上波导层、上DBR反射镜层及P型重掺杂层;在P型重掺杂层上表面设置的P面电极;及在衬底下表面设置的N面电极。

    5. 专利5简介：

    本发明公开了一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器包括衬底,衬底为N型单晶硅衬底;衬底上表面依次生长二氧化硅或三氧化二铝低折射率氧化物层、单晶锗层;单晶锗层上通过电极工艺和离子注入分区掺杂工艺从左至右依次制备p++重掺杂层、p+限制层、p波导层、势垒层、n++量子阱层、势垒层、n+波导层、n限制层、p++重掺杂层;两侧p++重掺杂层上表面分别制备了正、负电极;p波导层、势垒层、n++量子阱层、势垒层和n+波导层之上生长一层三氧化二铝绝缘层;三氧化二铝绝缘层上生长镍膜或铂膜为应力增强层;前、后腔面经过抛光形成前后腔镜面。

    6. 专利6简介：

    本发明公开了一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导及其制备方法,包括：衬底、绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层、锥形波导和扇形波导;在衬底上依次生长绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层;在本征单晶硅或单晶锗层上制备锥形波导;锥形波导上制备扇形波导;锥形波导的厚度为0.1～0.4μm,锥形的发散角为3～12°,锥形波导的长度为50～500μm;扇形波导半径为50～500μm,发散角为6～36°,扇形波导厚度从0至0.8μm渐变。

     三、拟交易价格

    专利转让费：每项2万元，共6项，总计12万元。

     四、价格形成过程

    经成果完成人与出资方南通淇盛光电科技有限公司协商，双方同意该成果以协议定价转让。

    公示期15日，自2024年1月5日起至2024年1月20日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向科学技术院反映。特此公示。

    联系人：池老师

    联系电话：65808048

                                                           海南师范大学科学技术院

                                                                    2024年1月5日